特許
J-GLOBAL ID：200903045641599408
薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277162
公開番号（公開出願番号）：特開平5-086480
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVDとイオンビーム照射との組み合わせにより薄膜を形成する装置であって、しかも三次元での薄膜形成を可能にした薄膜形成装置を提供する。【構成】 この薄膜形成装置は、反応ガス44が導入される真空容器32と、その中に設けられていて基体40を保持する回転式のホルダ34とを備えている。真空容器32には、ホルダ34を取り囲むように四つのイオン源46が取り付けられている。真空容器32内には、各イオン源46間に位置するように、高周波またはマイクロ波放射用のアンテナ56が配置されている。
請求項（抜粋）：
真空に排気されると共に反応ガスが導入される真空容器と、この真空容器内に収納される基体を取り囲むように配置されていて当該基体に向けてイオンビームを照射する複数のイオン源と、前記真空容器内であってイオン源間に位置するように配置された高周波またはマイクロ波放射用の複数のアンテナと、前記基体を真空容器内で回転させる基体回転機構とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
