特許
J-GLOBAL ID：200903045654037824
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185117
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045824
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高集積性を維持しつつ、ソース電極に対するボンディング時のゲート絶縁膜に加わるストレスを緩和することを可能とする半導体装置を提供することである。【構成】 第1導電型の半導体基板1と、前記半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度層と、前記低濃度層上に形成され前記第1導電型に対して反対導電型の第2導電型べース領域4と、前記第2導電型べース領域内のー部に形成された第1導電型ソース領域5とを備える。そして、ゲート絶縁膜7を、前記第1導電型ソース領域内に表面より縦方向へ設けられた溝の側壁及び底面に連続して第1導電型ソース領域の表面上一部まで形成し、ゲート電極8は、そのゲート絶縁膜7に対応して該第1導電型ソース領域5の表面上一部まで処設したものである。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度層と、前記低濃度層上に形成され前記第1導電型に対して反対導電型の第2導電型べース領域と、前記第2導電型べース領域内のー部に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1導電型ソース領域内に表面より縦方向へ設けられた溝の側壁及び底面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第2導電型べース領域と前記第1導電型ソース領域とに接続され、前記ゲート電極上に形成されたソース電極と、前記ソース電極上に形成された外部引出し用のボンディングワイヤとを備えた半導体装置において、前記ゲート絶縁膜を、前記溝の側壁及び底面に連続して前記第1導電型ソース領域の表面上一部まで形成し、前記ゲート電極は、そのゲート絶縁膜に対応して該第1導電型ソース領域の表面上一部まで処設したことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 G
, H01L 29/78 321 V
