特許
J-GLOBAL ID:200903045658253416

一つまたは複数の結晶化セラミック薄層の製造方法およびかゝる層を有する部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 江崎 光史 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-531412
公開番号(公開出願番号):特表2002-503623
出願日: 1999年02月15日
公開日(公表日): 2002年02月05日
要約:
【要約】本発明は、少なくとも1つのセラミク層が適当な基体の上に形成されておりそして紫外線が照射される一つまたは複数の結晶化セラミック層、特に薄層を製造する方法に関する。この目的では、該層は連続的に紫外線照射される。この場合、紫外線エネルギーの強さは、光の侵入深さがセラミック層の層厚を超えない様に選択し、更に好ましくは光の侵入深さがセラミック層の層厚に相当する。紫外線の割合の多い光源、特にHg、XeまたはHg(Xe)ランプを光源として使用するのが好ましい。
請求項(抜粋):
少なくとも1つのセラミク層が適当な基体の上に形成されておりそして紫外線が照射される一つまたは複数の結晶化セラミック層、特に薄層を製造する方法において、該層が連続的に紫外線照射されることを特徴とする、上記方法。
IPC (3件):
C04B 35/622 ,  C04B 35/64 ,  C04B 41/80
FI (3件):
C04B 41/80 Z ,  C04B 35/00 E ,  C04B 35/64 D
Fターム (13件):
4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA40 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA27

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