特許

J-GLOBAL ID：200903045669582993

真空プラズマ処理装置

発明者： 渡邉 彰三 ,  鈴木 正樹 ,  中山 一郎 ,  奧村 智洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018280
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226395
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハや液晶表示基板等の被処理基板にドライエッチング・CVD・スパッタ・その他の表面処理を行う真空プラズマ処理装置において、被処理基板の上方に均一な高密度プラズマを生起する事を特徴とする真空プラズマ処理装置を提供する。【構成】 サセプタ13と対向する上記真空処理容器11の絶縁体の壁面には、凸球状の分割電極15a・15b・15cを格子状に配列し、分割電極15a・15b・15cに、プラズマを生成させるための高周波電源16a・16b・16cを接続し、各々約120°位相の異なる高周波電力が印加することにより、被処理基板の上方に高密度なプラズマを生起する。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容する真空処理容器と、前記真空処理容器への反応ガス供給手段と、前記真空処理容器の真空排気手段と、この真空処理容器内に配設された上記被処理基板を保持するサセプタと、上記被処理基板と対向する上記真空処理容器の壁面のデルタ格子状に配列された分割電極と、上記分割電極に各々約120°位相の異なる3相高周波電力を印加する電源装置とを備えた真空プラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/40 ,  C23F 4/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/16

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C