特許

J-GLOBAL ID：200903045682684703

半導体装置の製造方法

発明者： 三浦 賢次 ,  中島 蕃 ,  田辺 泰之 ,  吉野 秀男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124414
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326549
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】ソース・ドレイン領域の浅接合化による短ゲート化と非オフセット化による高電流駆動力ができる半導体装置の製造方法を得る。【構成】ゲート電極3の側壁に絶縁膜4を形成し、高注入量イオンを垂直注入し中注入量イオンを斜め注入したのちにアニールを行い、高濃度ソース・ドレイン領域5とゲート電極3との端がほぼ等しくなるように活性化する。

請求項（抜粋）：

MOSFETのソース・ドレインを形成する半導体装置の製造方法において、ゲート電極の側壁に所定の幅の絶縁膜を形成し、つぎに上記ゲート電極端下の半導体基板表面に高注入量のイオンをほぼ垂直に注入したのち、中注入量のイオンを上記ゲート電極下方向に斜め注入するか、または上記各イオン注入を逆の順序で行ったのち、所定の温度と時間とによるアニールを行い、高濃度ソース・ドレイン領域端がほぼゲート電極端になるように、活性化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F