特許

J-GLOBAL ID：200903045683016674

半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法

発明者： 谷 智船
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108664
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289015
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 化学機械研磨(CMP)により絶縁膜や導電膜が平坦化された場合でも、研磨後のフォトリソグラフィーを容易且つ確実に行う。【解決手段】 スクライブ領域Aに、素子領域Bにフィールド酸化膜3を形成する工程やトランジスタを形成する諸工程を利用して、凹部11やトランジスタ材料の各層からなる凸部を形成する。そして、凹部11や凸部上に突起上の位置合わせ用マーク14(35)を形成し、マーク14(35)含む全面を覆うようにされた絶縁膜にCMPを施した場合、素子領域Bでは絶縁膜の表面が平坦化されるのに対して凹部11や凸部上では絶縁膜の表面はマーク形状を反映した形となるようにする。

請求項（抜粋）：

各素子領域に所定形状の複数の導電膜と少なくとも前記導電膜間を埋め込む複数の絶縁膜を備えた半導体素子が形成されてなる半導体ウェハにおいて、前記導電膜及び前記絶縁膜を形成する各材料が素子領域以外の所定領域上にも積層されてなる凸部及び/又は前記所定領域の表面の一部に形成されてなる凹部を有しており、前記凸部及び/又は前記凹部には、前記所定領域上の前記材料のうちの所定の導電膜材料に対応した前記導電膜と共にパターン形成されてなる突起が設けられていることを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 27/08 102 A ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 522 Z ,  H01L 21/78 L ,  H01L 27/10 681 F