不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228552
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077440
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】不揮発性半導体装置のカップリング時の向上を図ることにより、不揮発性半導体装置の低電圧化を可能とし、また一方第1の配線層の段差を軽減し、パターニングの容易性を可能とした不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】電荷蓄積電極3と制御電極6の行方向の幅がチャネル領域の上方よりも素子分離領域4の上方が広くなるように設定されている。これにより、制御電極6と電荷蓄積電極3の間の容量が大きくなり、カップリング比を向上させることが可能となる。また第1の配線層の制御電極上方とチャネル領域の上方の高さが等しくなり、第1の配線層のパターニングが容易かつ精度良く行なうことが可能となる。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に第1の絶縁膜を介してm行n列のマトリクス状に配置された(m×n)個の電荷蓄積電極と、前記半導体基板の主表面上に、前記電荷蓄積電極の真下の領域に設けられたチャネル領域を列方向において挟むように所定の間隙を隔てて形成され、ソースおよびドレイン領域をなす一対の不純物領域と、前記電荷蓄積電極の隣接する2列にまたがり各列間ごとに形成された素子分離領域と、前記電荷蓄積電極上に第2の絶縁膜を介して各行ごとに形成されたn本の制御電極と、を備え、前記素子分離領域の上における前記電荷蓄積電極および前記制御電極の列方向の幅が、前記チャネル領域の上における列方向の幅よりも広く設定された不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭56-036166
特開平2-063163
特開平2-154470

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