特許

J-GLOBAL ID：200903045694092844

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 渡邊 浩恵
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121176
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326724
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 スミア発生の少ない固体撮像装置を提供するものである。【構成】 半導体基板21表面に感光部22と電荷転送部23とを設け、前記電荷転送部23上に第1の絶縁膜24を介して電荷転送ゲート25を設け、前記電荷転送ゲート25上に第2の絶縁膜26を介して高融点金属の膜27と、前記高融点金属の酸化膜または窒化膜である介在膜28と、遮光膜29の3層の積層構造からなる遮光層30を設けたものであり、介在膜28により高融点金属の膜27と遮光膜29とが直接接触しないため、エッチングレートの高いシリコン酸化物の析出が起こらず、遮光膜29のドライエッチング時に遮光層30の側壁部に凹型の窪みが生じるのを防ぐことができるため、光が感光部22以外に差し込むことがなくスミアの発生を抑えることができるものである。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に、前記半導体基板とは逆の導電型の感光部と、前記感光部に生じた信号電荷を転送する前記半導体基板とは逆の導電型の電荷転送部とを設け、前記電荷転送部の上に第1の絶縁膜を介して電荷転送ゲートを設け、かつその電荷転送ゲートの上に第2の絶縁膜を介して高融点金属の膜、前記高融点金属の酸化物あるいは窒化物の介在膜及びアルミニウムを主成分とする遮光膜を順次積層してなる遮光層を設けた固体撮像装置。