特許
J-GLOBAL ID:200903045694226581
抵抗材料、これを用いた抵抗ペ-ストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小柴 雅昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-018154
公開番号(公開出願番号):特開平11-307305
出願日: 1999年01月27日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【課題】 面積抵抗値が低い領域(10Ω/□〜100Ω/□付近)における抵抗温度係数(TCR)をプラスからマイナス方向へシフトさせ、TCRの絶対値を0に近づけることを可能とする抵抗体を形成し得る、中性または還元性雰囲気中で焼き付けられる抵抗ペーストを提供する。【解決手段】 抵抗体17を形成するための抵抗ペーストとして、Nbx La1-x B6-4x(x=0.1〜0.9)で表される導電材料、または100〜90 mol%のNbB2 および0〜10 mol%のLaB6 からなる導電材料を含有し、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量100重量部に対して、添加剤として、酸化チタン(TiO2 )を1〜10重量部、酸化コバルト(Co3 O4 およびCoOの少なくとも一方)を1〜15重量部、および酸化亜鉛(ZnO)を1〜5重量部、それぞれ、含有するものを用いる。
請求項(抜粋):
導電材料と添加剤とを含有し、前記導電材料として、一般式:Nbx La1-x B6-4x(x=0.1〜0.9)で表される導電材料、または100〜90 mol%のNbB2 および0〜10 mol%のLaB6 からなる導電材料を含有し、前記添加剤として、酸化チタン(TiO2 )、酸化コバルト(Co3O4 およびCoOの少なくとも一方)、および酸化亜鉛(ZnO)を含有することを特徴とする、抵抗材料。
IPC (2件):
FI (2件):
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