特許

J-GLOBAL ID：200903045695386825

ガリウム砒素基板における選択的結晶成長方法

発明者： 細谷 守男 ,  柊元 宏 ,  宗片 比呂男
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088782
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264446
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 単純な工程で、不要物質による汚染を受けない良質な単結晶を選択的に成長させる方法を提供する。【構成】 ガリウム砒素基板4の上にガリウム砒素バッファ層4aを成長させ、更にその上に、アルミニウムガリウム砒素結晶層8を成長させ、この結晶層8の上層部を酸化してアルミニウムガリウム砒素の酸化膜9を形成する(図(a) )。酸化膜9を通して基板上の所定の領域に電子線6を照射し、結晶層8上の一部を改質し、非改質部8aと改質部8bを形成させる(図(b) )。この基板4を、結晶成長を行うことができるような所定の真空度(10-2Pa)および所定の温度(500°C)の条件下においた状態で、ガリウム原料TEGおよび砒素原料AsH3を照射すると、照射部9bは脱離し、改質部8b上にのみ選択的に良質な単結晶ガリウム砒素成長層7を得る(図(c) )。

請求項（抜粋）：

ガリウム砒素基板上に、ガリウム砒素と III族もしくはV族の金属元素との化合物からなる化合物結晶層を形成する第1の段階と、前記化合物結晶層の上層の一部分を酸化し、前記化合物の酸化膜を形成する第2の段階と、前記酸化膜を通して前記化合物結晶層の所定の領域に粒子線を照射し、前記化合物結晶層の粒子線照射領域を改質する第3の段階と、この第3の段階後の基板を、結晶成長を行うことができるような所定の真空度および所定の温度の条件下においた状態で、前記酸化膜を介して前記化合物結晶層にガリウム原料および砒素原料を照射し、前記粒子線照射領域にのみ、あるいは前記粒子線照射領域においてより厚くなるように、選択的にガリウム砒素の結晶を成長させる第4の段階と、を有することを特徴とするガリウム砒素基板における選択的結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-014428