特許
J-GLOBAL ID:200903045702096919
セラミックヒータ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-282504
公開番号(公開出願番号):特開2002-083667
出願日: 2000年09月18日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 ウエハ加熱面全体の温度が均一になり、半導体ウエハ等を均一に加熱することができ、セラミック基板の強度低下や反りのないセラミックヒータを提供する。【解決手段】 セラミック基板上に抵抗発熱体を形成したセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体には溝または切欠が形成されてなり、前記セラミック基板の抵抗発熱体形成面の面粗度は、Ra≦20μmであることを特徴とするセラミックヒータ。
請求項(抜粋):
セラミック基板上に抵抗発熱体を形成したセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体には溝または切欠が形成されてなり、前記セラミック基板の抵抗発熱体形成面の面粗度は、Ra≦20μmであることを特徴とするセラミックヒータ。
IPC (2件):
FI (3件):
H05B 3/10 A
, H05B 3/10 C
, H05B 3/16
Fターム (32件):
3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB17
, 3K092QB18
, 3K092QB33
, 3K092QB44
, 3K092QB45
, 3K092QB47
, 3K092QB69
, 3K092QB71
, 3K092QB74
, 3K092QB76
, 3K092QC02
, 3K092QC07
, 3K092QC18
, 3K092QC32
, 3K092QC42
, 3K092QC43
, 3K092QC49
, 3K092QC52
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF17
, 3K092RF22
, 3K092TT22
, 3K092UA05
, 3K092UA17
, 3K092UA18
, 3K092UC07
, 3K092VV26
, 3K092VV31
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