特許

J-GLOBAL ID：200903045708761035

シリコンにテーパ状開口を形成する方法

発明者： ジャン-ヒュイ・リン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073216
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250485
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 テーパ状側面を形成することによって溝充填における空隙形成を根絶する、テーパ状開口を形成する方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板内にテーパ状開口を形成する方法は、NF3およびHBrを用いる。NF3/HBrプラズマ・エッチングによって、85 ゚ないし60 ゚の良好なテーパ状側面、および約2500ないし3000オングストローム/分の良好なエッチング速度の双方が可能となる。特定の溝サイズに限定されるものではないが、本発明の方法は、0.45μm未満の開口の形成に特に適している。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に開口を形成する方法であって:誘電体層(16)によって一方の表面が覆われたシリコン基板(14)であって、前記誘電体層の第1開口によって前記表面の一部が露出せられた前記シリコン基板(14)を用意する段階;およびNF3およびHBrのみを入力ガスとして、前記シリコン基板の表面の一部にプラズマを形成し、前記表面の一部に第2開口をエッチングする段階;から成ることを特徴とする方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F