特許
J-GLOBAL ID：200903045723986345

半導体装置の製造方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-294155
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124177
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、機械的強度の高い超薄型ウェーハを形成し、更には半導体デバイスの超薄型実装を実現して、電子機器の超小型軽薄化に貢献することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 機械研削装置を用いてAl配線層12等を形成したウェーハ10の裏面研削加工を行い、ウェーハ10の裏面に形成されていたプロセス加工キズ18を研削除去すると共に厚さ110μmにまで超薄型加工する。更にCMP装置を用いてウェーハ10裏面のポリッシュ研磨による仕上げ加工処理を行い、ウェーハ10の裏面研削の際に新たに形成された研削ダメージ層28を研磨除去すると共にウェーハ10を厚さ100μmにまで超薄型加工する。こうして、超薄型ウェーハの機械的強度の低下を招く要因になる研削ダメージを除去し、厚さ100μmにまで超薄型化加工されたウェーハ10の機械的強度を向上する。
請求項（抜粋）：
機械研削加工により、半導体素子が形成されているウェーハの裏面を研削して、前記ウェーハを所定の厚さにまで薄型化する第1の工程と、化学機械研磨処理又はエッチング処理により、前記ウェーハの裏面を研削した際に生じた研削ダメージ層を除去する第2の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/306 M
Fターム (9件)：
5F043AA02 ,  5F043DD12 ,  5F043DD15 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE35 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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