特許
J-GLOBAL ID：200903045727110606
積層型半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323023
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177133
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 LSIを積層化した場合において、放熱特性が良好で、熱による回路素子の誤動作あるいは動作不良の発生を防ぐことができる積層型LSIを提供すること。【構成】 複数個のLSIチップ208、210が、接着剤501により積層されて立体化された積層型LSI100において、上部LSIチップ208及び下部LSIチップ210を構成するLSI配線の一部あるいは全部が絶縁膜で被覆されていないことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数個の半導体集積回路が接着手段により積層されて立体化された積層型半導体集積回路において、各半導体集積回路を構成する半導体集積回路配線の一部あるいは全部が絶縁膜で被覆されていないことを特徴とする積層型半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 27/00 301
