特許

J-GLOBAL ID：200903045727624413

強誘電体層を有する半導体装置とその製造方法

発明者： 松浦 克好
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144013
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340428
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置とその製造方法に関し、インプリント特性が良好な強誘電体膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 (a)半導体基板内に半導体素子を形成する工程と、(b)前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、(c)前記絶縁膜上にキャパシタ用下部電極層を形成する工程と、(d)前記下部電極層上に強誘電体膜を500°C以下の温度で成膜する工程と、(e)前記成膜された強誘電体膜にOH基を含浸させる工程と、(f)前記OH基を含浸させた強誘電体膜に500°C以上の熱処理を施し、強誘電体膜を結晶化させる工程と、(g)前記結晶化した強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板内に形成された半導体素子と、前記半導体基板上に形成されたキャパシタ用下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜であって、その中に含まれる結晶粒の85%以上が厚さ方向の電界によってスイッチング可能な方向に配向され、かつ前記結晶粒中に粒径が200nm以上のものを含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成されたキャパシタ用上部電極とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651