特許
J-GLOBAL ID：200903045729485348
酸素イオン注入装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275048
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 表面シリコン層の制御が自由にでき、かつ良質なシリコン層を追加形成でき、さらに多層化されたSOI構造も形成できる酸素イオン注入装置を提供すること。【構成】 真空にされたイオン注入室1a内に単結晶シリコンウェーハ2を保持し、シリコン原料12から蒸発したシリコン蒸発原子12bがシリコンウェーハ加熱源10で加熱されたシリコンウェーハ2表面にシリコン単結晶層を気相成長させる。また、シャッター14はシリコン蒸発原子12bがシリコンウェーハ2表面に到達することを任意に遮る。そして、膜厚計15がシリコン蒸発の速度を検出し、液体窒素シュラウド16が不用ガス分子を吸着排除する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶ウェーハに酸素イオンを注入することにより埋込み酸化層を有するSOI構造を形成する酸素イオン注入装置において、前記シリコン単結晶ウェーハを保持する真空槽内に、前記シリコン単結晶ウェーハを加熱するシリコンウェーハ加熱源と、前記シリコン単結晶ウェーハにシリコン単結晶層を気相成長させるためのシリコン蒸発源と、このシリコン蒸発源から蒸発したシリコン蒸発原子が前記シリコン単結晶ウェーハ表面に到達することを任意に遮るシャッターと、前記シリコン蒸発の速度を検出する蒸発速度モニターと、不用ガス分子を吸着排除する不用ガス分子排除手段とを備えたことを特徴とする酸素イオン注入装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
, H01L 27/12
