特許

J-GLOBAL ID：200903045730427742

プログラマブルリードオンリメモリ

発明者： 江守 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360453
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182480
出願日： 1991年12月28日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明はプログラマブルリードオンリメモリにおいてセルの不揃いな消去を改善するものである。【構成】セルの一括消去処理に続いて各セルについて個別に書込み処理をするようにしたことにより、各セルの消去状態を所定の許容範囲内に揃えることができる。

請求項（抜粋）：

フローテイングゲート及びコントロールゲートをもつMOSトランジスタを有する複数のセルを一括して書込み処理をした後、一括して消去処理をするプログラマブルリードオンリメモリにおいて、上記一括消去処理の後上記各セルごとに個別に書込み処理をすることにより、上記各セルが所定の範囲のしきい値電圧に対応する情報を保持するような消去状態に当該各セルを補正することを特徴とするプログラマブルリードオンリメモリ。