特許

J-GLOBAL ID：200903045732999085

プラズマ生成装置およびイオンプレーティング方法

発明者： 笹川 孝市 ,  川又 克英 ,  大山口 まき子
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059240
公開番号（公開出願番号）：特開平6-272029
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：

【要約】【目的】 所望の特性を有する膜を成膜する。【構成】 イオンプレーティング法を用いて成膜する際、蒸発物にプラズマを照射する前に、成膜を行う空間内の圧力を10-8 Torr 以下に設定した。そのためにプラズマを生成するプラズマ生成装置が有する各電極間を絶縁する絶縁手段6を、絶縁性を有する絶縁部材62と前記生成装置のプラズマを生成する空間の気密性を保持するための金属製のシール部材63とで構成した。そして、このプラズマ生成装置を備えたイオンプレーティング装置により成膜するようにした。

請求項（抜粋）：

6ホウ化ランタン(LaB6)からなる主陰極と該主陰極よりも熱容量の小さい物質からなる補助陰極を有する陰極部、陽極、前記陰極部と陽極との間に設置された中間電極、およびプラズマが生成される空間を形成するハウジングとを備え、該補助陰極によって前記主陰極を加熱することで陰極部と陽極との間に放電を起こしてプラズマを生成するプラズマ生成装置において、前記各電極間を絶縁するための絶縁手段を有すると共に、該絶縁手段が絶縁性を有する絶縁部材と前記プラズマを生成する空間の気密性を保持する金属製のシール部材とを備えていることを特徴とするプラズマ生成装置。