特許

J-GLOBAL ID：200903045735538054

薄膜処理液及び薄膜処理方法

発明者： 福岡 暢子 ,  山本 武志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167754
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367953
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 基板上の薄膜を微細加工する際に微細な凹部内に薄膜の残渣を生じるのを防止して、薄膜を高精細にパターン形成する。【解決手段】 薄膜を加工するための処理液中に微粒子を混入する。球状ミクロパールを混合してなるレジスト現像液により露光後のレジスト34あるいは着色層27a〜27cを現像し、スルーホール37、30内を球状ミクロパールで研磨して残渣を確実に除去する。球状ミクロパールを混合してなるエッチング液により層間絶縁膜22及びゲート絶縁膜20をエッチングし、スルーホール33内を球状ミクロパールで研磨して残渣を確実に除去する。球状ミクロパールを混合してなるレジスト剥離液により不要になったレジスト34を確実に剥離する。これらにより微細なスルーホール30、37、33を高精細にパターン形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜を加工する薄膜処理液において、薬液中に微粒子が混入されていることを特徴とする薄膜処理液。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/306 D ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (18件)：

5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD13 ,  5F043FF06 ,  5F043GG03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05