特許

J-GLOBAL ID：200903045737767263

メモリ装置およびメモリ装置における記憶モードの再構成をする方法

発明者： ユルゲン・トーマス・リッケス ,  ラルフ・ハーリー・レイマー・レイナム
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135272
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338171
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、製造時、あるいは、記憶セルの測定された特性に応答して、後の時点において、メモリを再構成することが可能になるメモリ装置およびメモリ装置における記憶モードの再構成をする方法を提供する。【解決手段】 メモリ装置であって、それぞれ、記憶状態が可能な第1の構造及び第2の構造を備える記憶セル(20)と、前記第1及び第2の構造の前記記憶状態が、それぞれ、第1及び第2のデータ・ビットを表わす第1のモードと、前記記憶状態の組み合わせによって、あるデータ・ビットを表す第2のモードとの間で、前記メモリを再構成するための手段が含まれている、メモリ装置。

請求項（抜粋）：

メモリ装置であって、それぞれ、記憶状態が可能な第1の構造及び第2の構造を備える記憶セル(20)と、前記第1及び第2の構造の前記記憶状態が、それぞれ、第1及び第2のデータ・ビットを表わす第1のモードと、前記記憶状態の組み合わせによって、あるデータ・ビットを表す第2のモードとの間で、前記メモリを再構成するための手段が含まれている、メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 11/22 501 ,  G11C 11/22

FI (2件)：

G11C 11/22 501 D ,  G11C 11/22 501 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体メモリ装置およびその検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208161   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-137098   出願人：株式会社東芝