特許
J-GLOBAL ID：200903045741109033
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344959
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176757
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 選択核形成法による核形成、固相成長による多結晶シリコンの大粒径化を、リソグラフィー法を用いずに、簡易に行う。【構成】 基板上の非晶質シリコン2に回折格子を用いてXeClエキシマレーザを格子点状に照射する(照射領域5)。その後、窒素雰囲気中、600度の熱処理をし、固相成長を行うことにより微結晶5を核として結晶粒が成長する。選択核形成法を用いない場合は、結晶粒径1〜2μm程度であるが、本発明では結晶粒径は最大4μm程度が得られ、これをチャンネル領域とする薄膜トランジスタの移動度を80cm2/Vsから150cm2/Vsに向上できた。
請求項（抜粋）：
非晶質半導体膜上に、特定の周期でドット状あるいはストライプ状に局所的に熱処理を施して結晶核を形成させた後、膜全体に熱処理を施して固相成長させて得られた多結晶半導体膜をチャンネル形成領域とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 21/324
