特許

J-GLOBAL ID：200903045741584610

多層配線半導体装置とその製造方法

発明者： 坂本 賢一
出願人/特許権者： 山口日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074838
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】ヒューズ素子をレーザビームで溶断する際、ヒューズの再付着を防止する。【解決手段】ヒューズ素子の導電膜9fの上に層間絶縁膜10,15を堆積する。その上に電極17f-1,17f-2を形成し層間絶縁膜18を堆積した後、層間絶縁膜エッチング工程で層間絶縁膜18と層間絶縁膜15の一部を除去し、ヒューズ上の膜厚を薄くする。層間絶縁膜18の側面での配線はがれを防止したパターンをもつ導電膜19aを形成後、表面保護用のカバー絶縁膜20を堆積して選択的に開口21Bを形成する。層間絶縁膜エッチング工程でヒューズ上の膜厚を薄くするので、工程数、プロセスタイムの増加なしでヒューズを構成する導電物の再付着を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の層間絶縁膜を選択的に被覆する第1の導電膜、前記第1の導電膜の設けられた第1の層間絶縁膜に堆積された第2の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜を被覆し第1のコンタクト孔及び第2のコンタクト孔を介してそれぞれ前記第1の導電膜に接続する、第1の配線層用導電膜でなる一対の電極を有するヒューズ素子と、前記第1の配線層の設けられた第2の層間絶縁膜に堆積された第3の層間絶縁膜と、前記第3の層間絶縁膜を選択的に被覆する第2の配線層と、前記第2の配線層の設けられた第3の層間絶縁膜に堆積されたカバー膜とを有する多層配線半導体装置において、前記ヒューズ素子の第1の導電膜上で第3の層間絶縁膜を除去してなる第1の開口及び前記第1の開口部でカバー膜を除去してなる第2の開口がそれぞれ設けられていることを特徴とする多層配線半導体装置。