特許

J-GLOBAL ID：200903045742507601

半導体レーザ素子

発明者： 須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  細羽 弘之 ,  大林 健 ,  近藤 雅文 ,  兼岩 進治 ,  幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003913
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228043
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 自励発振動作をさせ、戻り光に対して動作が安定となり、低雑音レーザとしてしようすることを可能とする。【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層がこの順で形成され、該第2クラッド層上に、突出したストライプ状の第3クラッド層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記第1、第2、もしくは第3クラッド層内部領域、又はそれらの境界領域の少なくとも1つに、実質的なバンドギャップが活性層と略等しい複数の量子井戸層と、該量子井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層とが交互に形成された量子井戸構造体を形成してなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層がこの順で形成され、該第2クラッド層上に、突出したストライプ状の第3クラッド層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記第1、第2、もしくは第3クラッド層内部領域、又はそれらの境界領域の少なくとも1つに、実質的なバンドギャップが活性層と略等しい複数の量子井戸層と、該量子井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層とが交互に形成された量子井戸構造体が形成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。