特許

J-GLOBAL ID：200903045744312085

半導体製造装置用高耐食性金属材料の製造法

発明者： 久本 淳 ,  橋本 郁郎 ,  池田 貢基
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325263
公開番号（公開出願番号）：特開平7-180032
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月18日
要約：

【要約】【構成】 金属材料の表面に、真空蒸着法、イオン注入法、イオンプレーティング法、ダイナミックミキシング法、化学蒸着と真空蒸着との併用法のいずれかによって、Ti酸化物とTi炭化物およびCr酸化物よりなる混合被覆層を形成する。【効果】 金属材料の表面をCr酸化物とTi酸化物とTi炭化物よりなる3成分系の混合被覆層で保護することによって耐食性を著しく高めることができ、ハロゲン系ガスの様に強い腐食性を持ったガスの存在する雰囲気下においても、優れた耐食性を発揮し、半導体汚染を生じることのない半導体製造装置用の表面被覆金属材料を提供できる。

請求項（抜粋）：

金属材料の表面に、真空蒸着法、イオン注入法、イオンプレーティング法、ダイナミックミキシング法、化学蒸着と真空蒸着との併用法のいずれかによって、Ti酸化物とTi炭化物とCr酸化物よりなる混合被覆層を形成することを特徴とする半導体製造装置用高耐食性金属材料の製造法。