特許

J-GLOBAL ID：200903045744433303

酸化物超電導体製造用CVD原料の気化装置

発明者： 山口 太一 ,  青木 伸哉 ,  香川 昭 ,  河野 宰 ,  佐治 明 ,  黒田 昇 ,  吉田 弘
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044040
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【構成】 気化容器12と、この気化容器12の上方から挿入された原料供給管13と、キャリアガス導入装置14と、原料供給管13の上端側からその内部に挿入された内管15を通して上記粉末原料を供給する原料供給装置16と、気化容器12内で気化したガスをリアクタ17内に供給する気化ガス供給管18とから構成され、原料供給管13の下端側に拡径部分Aが形成され、内管15の先端が拡径部分Aより上方に位置し、内管15から原料供給管13内に供給された粉末原料の周囲にキャリアガスが流れる構造。【効果】 内管から供給される粉末原料と原料供給管内壁との間にキャリアガスのシールドを形成するので、原料供給管内壁に粉末原料が付着しなくなる。また、拡径部ではキャリアガスの流速が減衰され、内管から供給される粉末原料を飛散させることがない。

請求項（抜粋）：

酸化物超電導体を構成する各元素の化合物を用いて、化学気相蒸着法により酸化物超電導体を生成させる際に使用するCVD原料の気化装置において、上記化合物の粉末原料を加熱気化させる加熱手段を備えた気化容器と、該気化容器の上方から挿入された原料供給管と、該原料供給管の上端側からキャリアガスを導入するキャリアガス導入装置と、上記原料供給管の上端中央から該原料供給管内に挿入された内管を通して上記粉末原料を供給する原料供給装置と、該気化容器内で気化したガスをリアクタ内に供給する気化ガス供給管とを具備し、上記原料供給管は下端側に拡径部分が形成され、かつ上記内管の先端が該拡径部分より上方に位置し、上記内管から原料供給管内に供給された粉末原料の周囲にキャリアガスが流れる構造としたことを特徴とする酸化物超電導体製造用CVD原料の気化装置。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ZAA ,  C23C 16/40 ZAA ,  C30B 25/14 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA