特許

J-GLOBAL ID：200903045744558378

二次電池およびその製造方法

発明者： 岩津 聡 ,  高橋 秀哉 ,  北 洋輔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241104
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086868
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 銅をリードとして使用した場合の抵抗溶接の困難さを解消し、高出力用のリードとして銅リードを使うことができる二次電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、負極の集電箔として、銅箔を使用するリチウムイオン二次電池に関するものである。銅箔からのリードとしては銅リード2を用い、かつ、この銅リード2を電池缶8に抵抗溶接する。銅リード2を用いることにより、最大電流が20A以上の電池として適している。第1の溶接電極棒3と、その先端に電気抵抗の高い金属5を付けた第2の溶接電極棒4の間に、銅リード2と電池缶8を挟み込んで通電して加熱する抵抗溶接により、銅リード2を電池缶8に溶接する。

請求項（抜粋）：

負極の集電箔として、銅箔を使用する二次電池において、上記銅箔からのリードとして銅リードを用い、かつ、この銅リードを電池缶に抵抗溶接することを特徴とする二次電池。

IPC (3件)：

H01M 4/64 ,  H01M 2/06 ,  H01M 2/22

FI (3件)：

H01M 4/64 A ,  H01M 2/06 Z ,  H01M 2/22 A