特許

J-GLOBAL ID：200903045748241859

半導体薄膜の結晶化方法及び薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 林 久雄 ,  池田 裕幸 ,  高徳 真人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224520
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053020
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 レーザ光の照射領域を重ね合わせて大面積の半導体薄膜を結晶化する際、結晶性を均一化する。【解決手段】 レーザ光源51から発したレーザ光50を整形して所定の照射領域で所定の強度分布を有するレーザ光50を形成する整形工程と、予め基板1に成膜された半導体薄膜2に対して照射領域が部分的に重なるように走査しながらレーザ光50を繰り返し照射する照射工程とを行なって、半導体薄膜2を結晶化する。その際、照射領域の走査方向に沿ったレーザ光50の断面強度分布が凸型であり、そのピークが走査方向に関し照射領域の先端と後端との間で中央より先端側に位置する様にレーザ光50を整形する。具体的には、照射領域先端における強度RLがピークの強度PLに比べ30%以内の範囲で低くなるようレーザ光50を整形する。又、照射領域後端における強度TLがピークの強度PLに比べ5%を超える範囲で低くなるようにレーザ光を整形する。

請求項（抜粋）：

レーザ光源から発したレーザ光を整形して所定の照射領域で所定の強度分布を有するレーザ光を形成する整形工程と、予め基板に成膜された半導体薄膜に対して照射領域が部分的に重なるように走査しながらレーザ光を繰り返し照射する照射工程とからなる半導体薄膜の結晶化方法において、前記整形工程は、照射領域の走査方向に沿ったレーザ光の断面強度分布が凸型であり、そのピークが走査方向に関し照射領域の先端と後端との間で中央より先端側に位置する様にレーザ光を整形することを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (64件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052BB09 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA04 ,  5F052JA10 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24