半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：逢坂宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350714
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189450
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】大面積基板上に形成した非晶質シリコン膜の結晶化の場所によるばらつきを低減し、多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)間の特性のばらつきを低減する。【解決手段】非晶質シリコン膜の膜厚分布パターンの最大ピーク位置と、レーザー光のエネルギー分布パターンの最大ピーク位置とを互いに一致させるようにして、レーザー光を非晶質シリコン膜に照射する。或いは、非晶質シリコン膜上の反射防止膜の膜厚分布パターンの最大ピーク位置と、レーザー光のエネルギー分布パターンの最小ピーク位置とを互いに一致させるようにして、レーザー光を非晶質シリコン膜に照射する。或いは、非晶質シリコン膜の膜厚分布パターンの最大ピーク位置と、反射防止膜の膜厚分布パターンの最大ピーク位置とが互いに一致するように非晶質シリコン膜上に反射防止膜を形成して、レーザー光を非晶質シリコン膜に照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した非晶質シリコン膜の膜厚分布パターンと実質的に対応したエネルギー分布パターンを有するレーザー光を前記非晶質シリコン膜に照射して、前記非晶質シリコン膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 616 M , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 627 G

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