特許
J-GLOBAL ID：200903045752531616
電気的に書き込み一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182479
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的はメモリセルの過消去を防止することである。【構成】 メモリセルブロックB1〜B4はそれぞれソース回路12を有しており、個別的に消去できる。消去動作が実行されると、データ比較判定回路5が消去が完了したか否かを判断し、消去が完了している場合には、消去検査合格信号EVPiを出力する。この消去検査合格判定信号EVPiはソース制御回路11に保持され、ソース回路12を不活性化する。したがって、消去完了したメモリセルブロックは再び消去動作を受けず、過消去は発生しない。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルブロックを含むメモリセルマトリクスと、複数のメモリセルブロック毎に設けられた複数の消去ラインと、前記消去ラインに消去電圧を供給する消去回路とを含む不揮発性半導体記憶装置において、消去すべきメモリセルブロックが消去されたか否かを判定する消去検査の際にメモリセルブロックが消去状態にあるか否かを判定し、前記消去すべきメモリセルブロックが消去済みと判定された場合には消去検査合格信号を出力するデータ比較判定回路と、前記消去検査合格信号を入力として前記消去合格信号が入力された場合に、前記消去回路に対して消去禁止信号を出力する消去制御回路とを備えることを特徴とする電気的に書き込み一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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