特許

J-GLOBAL ID：200903045760079650

半導体素子および半導体素子への結線方法

発明者： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方 ,  横川 俊哉 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-308756
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118268
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 ショットキー電極へのワイヤー結線後においても、所望の耐圧が得られる半導体素子および半導体素子への結線方法を提供する。【解決手段】 半導体11との接触面において複数のショットキー電極16が絶縁体15で分離された構造を有し、絶縁体15上に堆積された上部電極17にワイヤー結線するので、ワイヤー結線後においても所望の耐圧が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体と、半導体裏面に接するオーミック電極と、半導体表面に接する絶縁体と、半導体表面に接するショットキー電極と、絶縁体およびショットキー電極の少なくとも一部を覆う上部電極を有し、半導体との接触面において複数のショットキー電極が絶縁体で分離された構造を有する半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/60 301 N ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F

Fターム (21件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF34 ,  4M104GG03 ,  4M104HH16 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F044EE01 ,  5F044EE04 ,  5F044EE11 ,  5F044EE21