特許
J-GLOBAL ID:200903045770421852

半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 征生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-346493
公開番号(公開出願番号):特開平11-176782
出願日: 1997年12月16日
公開日(公表日): 1999年07月02日
要約:
【要約】【課題】 量産性に富んでいる利点を損うことなく、混合液による洗浄能力やフォトレジスト剥離能力等を向上する半導体製造装置を提供する。【解決手段】 硫酸と過酸化水素水とを混合する薬液混合槽11の内部には、混合液の温度を下降させる熱交換部12が設けられている。さらに、薬液混合槽11から供給された温度が下降された混合液を貯蔵して、複数枚のウエハ3を浸漬して洗浄やフォトレジスト剥離等の所望の処理を行う硫酸-過酸化水素混合液処理槽1を備えている。
請求項(抜粋):
混合されたとき反応熱により混合液の温度が上昇する組み合わせとなる複数種類の薬液からなる前記混合液に、基板を浸漬して所望の処理を行う半導体製造装置であって、第1の種類の薬液と該第1の種類の薬液と混合されたとき反応熱により混合液の温度が上昇する第2の種類の薬液とを混合する薬液混合部と、前記薬液混合部に設けられ反応熱により温度が上昇している前記混合液の温度を下降させる冷却手段と、前記薬液混合部から供給され温度が下降している前記混合液を貯蔵してその混合液に処理すべき前記基板を浸漬する混合液処理部と、を少なくとも備えていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件):
H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 648
FI (2件):
H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 648 F
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-350950   出願人:ソニー株式会社

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