特許
J-GLOBAL ID：200903045774234640
発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236975
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083967
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 安価で量産性に優れた発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】 p型GaAs基板2上にp型AlGaAs第1クラッド層3を成長させた後の残った原料溶液3aに、AlとGaAsと、p型ドーパント等の追加用原料31とを追加し、所定の温度に昇温させることにより、p型AlGaAs第2クラッド層4用の原料溶液4aに転換させることができる。p型AlGaAs活性層5の成長時に、p型AlGaAs第2クラッド層4の原料溶液4aにn型ドーパント等の追加用原料32を追加すると、この原料溶液4aがp型からn型に反転することにより、n型AlGaAsウィンド層6用の原料溶液6aに転換させることができる。従って、原料溶液の数を2層分だけ用意しておけばよいので、従来の4層分用意する場合に比べてGaの使用量を半減させることができる。
請求項（抜粋）：
液相エピタキシャル成長により、p型GaAs基板上にp型AlGaAs第1クラッド層、p型AlGaAs第2クラッド層、p型AlGaAs活性層及びn型AlGaAsウィンド層を順次形成した後、p型GaAs基板を除去する裏面反射型ダブルへテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記p型AlGaAs第2クラッド層を成長させる時には、上記p型AlGaAs第1クラッド層の原料溶液にp型ドーパントを追加してp型AlGaAs第2クラッド層用溶液とし、この溶液を所定の温度に昇温させた後、p型AlGaAs第1クラッド層の上にp型AlGaAs第2クラッド層を成長させ、上記n型AlGaAsウィンド層を成長させる時には、上記p型AlGaAs第2クラッド層の原料溶液にn型のドーパントを追加してn型に反転させてn型AlGaAsウィンド層用溶液とし、このn型AlGaAsウィンド層用溶液によってp型AlGaAs活性層の上にn型AlGaAsウィンド層を成長させることを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/208 Z
, H01L 33/00 A
