特許

J-GLOBAL ID：200903045784019259

半導体材料の改良された薄膜製造方法

発明者： リチャード、エグロフ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550133
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516483
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】高度の表面均一性を有する半導体材料の薄膜は、半導体本体の薄い外側領域の範囲を限定すると共に高ストレスを受ける埋込領域を形成するために重水素イオンを本体に注入し、半導体の本体の薄い外側領域に対して硬度を与えるキャリアを付与し、薄い外側領域の範囲を限定するために摂氏350〜450度で本体を加熱する事により製造される。分離される層は、液晶表示装置やマイクロ波の応用に適用する絶縁膜上シリコンの半導体装置やガラス上シリコン装置の製造に有用である。

請求項（抜粋）：

半導体材料の薄膜を形成する方法であって、 (a)半導体材料の本体の表面を通してイオンの種を注入し、前記本体に高ストレスの埋込領域を形成し、この高ストレスの埋込領域により半導体材料の薄い外側領域の範囲を限定し、 (b)前記薄い外側領域に対して硬度を増したキャリアを打ち込み、 (c)前記本体からの前記薄い外側領域の分離を促進するために前記本体を加熱すると共に、 前記種の注入が重水素(D+)であり、前記加熱は摂氏350度から450度までの範囲内で行なわれることを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/762

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/76 D

Fターム (5件)：

5F032AA06 ,  5F032DA43 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74