特許

J-GLOBAL ID：200903045785881850

高能率低損失熱電モジュール

発明者： 山田 一清 ,  稲泉 潔 ,  田口 尚只
出願人/特許権者： 稲泉 潔 ,  山田 一清
代理人 (1件)： 稲葉 慶和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-114922
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294935
出願日： 2005年04月12日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】ゼーベック効果、ペルチェ効果を有する熱電半導体素子と両端の電極とで構成した熱電半導体モジュールにおいて、ジュール熱損失を小さくして高能率低損失化する。【解決手段】熱電半導体素子において、電極を、端部から側面にかけて挟み又は囲むようにして、電極と熱電半導体素子ユニットとの接触面積が広くなるようにする。すなわち、素子の中央部を糸巻状にくびれた構造とし、熱貫流を少なく、必用に応じて熱遮断シートを設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

熱電半導体素子とその両端の低温サイドおよび高温サイドにそれぞれ接合する電極とで形成してなるユニットを1個又は複数有する熱電半導体モジュールにおいて、電極は熱電半導体素子の端面から側面にかけて熱電半導体素子を挟み又は囲むようにし、熱電半導体素子と電極とが接触する面積を実質的に大きくしたことを特徴とする、高能率低損失熱電半導体モジュール

IPC (4件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00

FI (4件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/08 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特願2004-160886出願
  
• 熱電半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-276751   出願人：ユニオンマテリアル株式会社
• 2001-156343号公報