特許
J-GLOBAL ID：200903045787272222
露光用フォトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036143
公開番号（公開出願番号）：特開平10-232482
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】段差を有する被露光材についても、すべての領域で所望のパターンを形成することのできる露光用フォトマスクを提供する。【解決手段】この露光用フォトマスクM1は、段差を有する半導体基板S上に所定のパターンを転写するものであり、遮光膜5からなる領域2と、半透明膜4からなる領域1を有し、半導体基板Sの段差及び所望のパターンサイズに基づいて、半透明膜4を通過する露光光と完全透過部を通過する露光光との最適位相差及び最適マスクパターンサイズを求め、その最適位相差及び最適マスクパターンサイズにより形成される。半透明膜4の膜厚は、半透明膜4を通過する露光光と完全透過部を通過する露光光との位相差が半導体基板Sの段差に略等しい焦点位置ずれを与えるように設定される。
請求項（抜粋）：
段差を有する被露光材上に所定のパターンを転写する露光用フォトマスクにおいて、遮光膜からなる領域と、半透明膜からなる領域を有し、前記被露光材の段差及び所望のパターンサイズに基づいて、前記半透明膜を通過する露光光と完全透過部を通過する露光光との最適位相差及び最適マスクパターンサイズを求め、その最適位相差及び最適マスクパターンサイズにより形成されることを特徴とする露光用フォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
