特許
J-GLOBAL ID：200903045791417405
圧電/電歪膜型素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051241
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 圧電/電歪作動部に発生する歪みや応力を効率よく変位に変えることが出来、また複数の圧電/電歪作動部の同時駆動に際しての変位低下率を小さく為し得る圧電/電歪膜型素子及びそれを有利に製造し得る手法を提供する。【構成】 窓部6を覆蓋するようにダイヤフラム部10を設けたセラミック基体2と、該ダイヤフラム部位に設けた、下部電極12、圧電/電歪層14及び上部電極16から構成される膜状の圧電/電歪作動部18とを有する圧電/電歪膜型素子において、前記ダイヤフラム部10が外方に凸なる形状を有するように構成した。また、かかる圧電/電歪膜型素子を製造するに際して、ダイヤフラム部10が外方に凸なる形状を呈するセラミック基体2を準備し、その外面上に、少なくとも下部電極12及び圧電/電歪層14を一体的に形成するようにした。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの窓部を有すると共に、該窓部を覆蓋するように、薄肉のダイヤフラム部が一体に設けられてなるセラミック基体と、該ダイヤフラム部の外面上に膜形成法によって層状に順次設けた下部電極、圧電/電歪層及び上部電極より構成される膜状の圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪膜型素子にして、前記セラミック基体におけるダイヤフラム部が外方に凸なる形状を有し、該凸形状の外面上に前記膜状の圧電/電歪作動部が形成されていることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
IPC (3件)：
H01L 41/09
, H01L 41/22
, H02N 2/00
H01L 41/08 C
, H01L 41/22 Z
