特許
J-GLOBAL ID：200903045792334759

有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法

発明者：
筒井 哲夫

筒井 哲夫 について

, 
安部 寛子

安部 寛子 について

, 
瀬尾 哲史

瀬尾 哲史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-097829
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171832
出願日： 2008年04月04日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】効率のよいフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。【解決手段】陽極と陰極との間に、電流を流すことで発光する1番目からn番目(nは2以上の整数)の機能性有機薄膜層と、1番目からk番目(kは1≦k≦(n-1)の整数)の導電体薄膜層と有するエレクトロルミネッセンス素子を提供する。このエレクトロルミネッセンス素子において、機能性有機薄膜層と、導電体薄膜層とは交互に設けられている。また、1番目の機能性有機薄膜層は陽極に接し、前記n番目の機能性有機薄膜層は陰極に接している。導電体薄膜層は、クラスター状であり、P型半導体とルイス酸とを含む第1の層と、第1の層よりも陽極側に設けられ、N型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とを含む第2の層とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
陽極と陰極との間に、電流を流すことで発光する1番目からn番目(nは2以上の整数)の機能性有機薄膜層と、1番目からk番目(kは1≦k≦(n-1)の整数)の導電体薄膜層と、を有し、 前記機能性有機薄膜層と、前記導電体薄膜層とが交互に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法であって、 前記陽極上に、前記1番目の機能性有機薄膜層を真空蒸着法によって形成し、 前記1番目の機能性有機薄膜層上に、前記1番目からk番目の導電体薄膜層と、前記2番目から(n-1)番目の機能性有機薄膜層とを真空蒸着法によって交互に形成し、 前記k番目の導電体薄膜層上に、前記n番目の機能性有機薄膜層を真空蒸着法によって形成し、 前記n番目の機能性有機薄膜層上に、前記陰極を真空蒸着法によって形成し、 前記導電体薄膜層は、P型有機半導体とアクセプタとを含む第1の層と、前記第1の層よりも前記陽極側に設けられ、N型有機半導体とドナーとを含む第2の層とを有し、 前記アクセプタは、FeCl3(III)、AlCl3、AlBr3、又はAsF6であり、 前記ドナーは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。
IPC (3件)：
H05B 33/12 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H05B33/12 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (10件)：
3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD52 ,  3K107DD58 ,  3K107DD84 ,  3K107DD85 ,  3K107GG00 ,  3K107GG04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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