特許
J-GLOBAL ID：200903045807588752
酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた光起電力素子及び半導体素子基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029896
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れた形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液202に浸漬された導電性基体203と、水溶液202中に浸漬されたメッシュ状又は棒状の対向電極204との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を導電性基体203上に形成する酸化亜鉛薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬されたメッシュ状又は棒状の対向電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C25D 9/04
, H01L 31/04 H
, H01L 31/04 M
