ダイヤモンドパターンの形成方法、走査型プローブ装置用プローブおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：渡辺隆男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068583
公開番号（公開出願番号）：特開平10-259092
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】本発明はダイヤモンドとは異なる物質に微細な構造物としてダイヤモンドを形成する方法で、生産性の高い製造方法を提案する。【解決手段】本発明では、基板上にダイヤモンドを形成する方法において、少なくとも金属からなる試料と試料上に成膜された非金属物質からなる被膜とを有する基板上に、レジストを形成する工程と、基板上に設けられたレジストのうち、ダイヤモンドを形成する部分におけるレジストを除去する工程と、レジストが除去された部分にあたる被膜を除去するためのエッチング工程と、少なくとも炭素原子を有するガスを導入しつつ化学気相成長法(CVD法)によって、エッチング工程が終了した基板のうち被膜が除去された部分のみにダイヤモンドを成長させるダイヤモンド形成工程とで行うこととした。

請求項（抜粋）：

基板上にダイヤモンドを形成する方法において、少なくとも金属を備える試料と試料上に成膜された非金属物質からなる被膜とを有する基板上に、レジストを形成する工程と、前記基板上に設けられたレジストのうち、前記ダイヤモンドを形成する部分におけるレジストを除去する工程と、前記レジストが除去された部分にあたる前記被膜を除去するためのエッチング工程と、少なくとも炭素原子を有するガスを導入しつつ化学気相成長法(CVD法)によって、前記エッチング工程が終了した基板のうち前記被膜が除去された部分のみにダイヤモンドを成長させるダイヤモンド形成工程とで行うことを特徴とするダイヤモンドパターンの形成方法

IPC (5件)：

C30B 29/04 , C23C 16/04 , C23C 16/26 , G01N 37/00 , H01L 21/205

FI (5件)：

C30B 29/04 A , C23C 16/04 , C23C 16/26 , G01N 37/00 G , H01L 21/205

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