特許

J-GLOBAL ID：200903045812230378

半導体ガス検出装置

発明者： 藤沢 悦子 ,  太田 和三郎 ,  石田 力 ,  佐藤 康弘
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 高野 明近 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321177
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148117
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 金属酸化物半導体にガス吸着のあった時のみ、或いは、ガス吸着がなくても時々、前記金属酸化物半導体を超温に加熱して該金属酸化物半導体に吸着してガスをクリーニングし、ガスの吸着による感度低下を防止する。【構成】 金属酸化物半導体よりなるガス検出手段と、該金属酸化物半導体をガス検出に適した温度に加熱する加熱手段と、前記金属酸化物半導体の抵抗値を読み取る読み取り手段とを有する半導体ガス検出装置である。前記加熱手段は、加熱手段を全く加熱しない期間(T2)とガスを検出する温度(Vh1)に加熱する期間(T1)とに交互に切り替え、前記金属酸化物半導体の抵抗値の変化を検出した後に、前記金属酸化物半導体を前記ガス検出に適した温度より高い温度(Vh2)に加熱する期間(T3)を有する。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体の抵抗値変化を利用してガス検出を行う半導体ガス検出装置において、金属酸化物半導体よりなるガス検出手段と、該金属酸化物半導体をガス検出に適した温度に加熱する加熱手段と、前記金属酸化物半導体の抵抗値を読み取る読み取り手段と、前記金属酸化物半導体の抵抗値の変化を検出した後に、前記金属酸化物半導体を前記ガス検出に適した温度より高い温度に加熱する制御手段を有することを特徴とした半導体ガス検出装置。

IPC (2件)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04