電子写真用光受容部材およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-123021
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】a-Si系の光導電層を有する電子写真用光受容部材において、残留電位および光メモリーを低減し、高いドット再現性を実現し、環境の変動による影響を抑制する。【解決手段】光導電層の表面側領域(上層)212を、ヘリウムガスを含む希釈ガスを用いて作製し、水素原子およびハロゲン原子の中で上層212に含まれる原子の総含有量(Ch)を1原子%以上、15原子%以下または20原子%以下とし、光学的バンドギャップ(Eg)を1.5eV以上、1.65eV以下または1.75eV以下とし、特性エネルギー(Eu)を40meV以上50meV以下とする。

請求項（抜粋）：

シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成され、少なくとも2層以上の積層からなる光導電層を有する電子写真用光受容部材において、該光導電層の表面側領域(上層)は、シリコン原子含有ガス及びヘリウムガスを用いてプラズマ気相成長法により作製され、水素原子およびハロゲン原子の中で上層に含まれる原子の総含有量(Ch)は1原子%以上15原子%以下であり、上層の光学的バンドギャップ(Eg)は1.5eV以上1.65eV以下であり、光子エネルギー(hν)を独立変数(eV)とし光吸収スペクトルの吸収係数(α)を従属変数(cm-1)とする下記関係式(1) Lnα = (1/Eu)・hν + α1 (1)で表される関数の直線関係部分(指数関数裾)の傾きの逆数から決定される上層の特性エネルギー(Eu)は40meV以上50meV以下であり、該光導電層の表面側以外の領域(下層)は、シリコン原子含有ガス及び水素ガスを用いて、プラズマ気相成長法により作製されものであることを特徴とする電子写真用光受容部材。

IPC (3件)：

G03G 5/08 312 , G03G 5/08 360 , C23C 16/24

FI (3件)：

G03G 5/08 312 , G03G 5/08 360 , C23C 16/24

Fターム (22件)：

2H068DA24 , 2H068DA31 , 2H068DA37 , 2H068EA24 , 4K030AA02 , 4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB12 , 4K030BB13 , 4K030CA02 , 4K030CA07 , 4K030CA16 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030KA23 , 4K030LA17

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