特許

J-GLOBAL ID：200903045814881287

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 岡本 圭史 ,  吉見 雅士
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015779
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系薄膜光電変換層の結晶化を向上させることによって、シリコン系薄膜光電変換装置の性能を改善する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、プラズマCVD法によって第1導電型半導体層104と結晶質シリコン系薄膜光電変換層105を順次堆積した後、光電変換層105にレーザを照射することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換装置は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットの少なくとも1つは順次積層された第1導電型半導体層と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層と、前記第1導電型と逆の第2導電型半導体層とを含み、プラズマCVD法によって前記第1導電型半導体層と前記光電変換層を順次堆積した後、前記光電変換層にレーザを照射することを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/00

FI (4件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/00 B

Fターム (47件)：

5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045DA68 ,  5F045EH13 ,  5F045HA18 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051BA13 ,  5F051CB12 ,  5F051CB25 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA10 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052JA09 ,  5F072AA06 ,  5F072HH04 ,  5F072JJ02 ,  5F072RR05 ,  5F072YY08