特許

J-GLOBAL ID：200903045824465710

半導体基材の作製方法

発明者： 佐藤 信彦 ,  坂口 清文 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038460
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217823
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 光透過性基板上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れたSi結晶層を作製する。【構成】 シリコン基板を多孔質化する工程と、多孔質化したシリコン基板1を融点以下の温度で熱処理して、その表面層を非多孔質シリコン単結晶層2にする工程と、非多孔質シリコン単結晶層2を光透過性基板3に貼り合わせる工程と、多孔質化したシリコン基板1部分を化学エッチングにより除去する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を多孔質化する工程と、該多孔質化したシリコン基板を融点以下の温度で熱処理して該多孔質化したシリコン基板の表面層を非多孔質シリコン単結晶層にする工程と、該非多孔質シリコン単結晶層を光透過性基板に貼り合わせる工程と、該多孔質化したシリコン基板部分を化学エッチングにより除去する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12