特許

J-GLOBAL ID：200903045827354499

半導体記憶装置及びシステム

発明者： 野田 敏史 ,  大嶋 一義 ,  佐藤 弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170956
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006374
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 選択的に2値又は4値モードで動作することができ、高速アクセスが可能で、チップサイズの縮小を図ったフラッシュメモリ等を実現して、これを含むフラッシュファイルシステム等の高速化を図り、その利便性を高める。【解決手段】 フラッシュファイルシステムFF等に含まれるフラッシュメモリFM等において、メモリアレイを構成する2層ゲート構造型メモリセルを、コマンドに従って選択的に2値又は多値モードで動作させ、その記憶領域を、例えばセクタつまりワード線単位で選択的に2値領域又は多値領域とするとともに、フラッシュファイルシステムFF等に、記憶領域が2値領域又は多値領域のいずれに割り当てられているかを示す2値・多値管理テーブルVTを設ける。さらに、2値領域を、多値領域に対するデータ書き込み又は読み出し時のバッファ領域として使用し、フラッシュメモリFM等にデータ圧縮・解凍機能を持たせる。

請求項（抜粋）：

アクセス装置の指示に従って選択的に2値モード又は多値モードで動作するメモリセルが格子配列されてなるメモリアレイを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE08