特許
J-GLOBAL ID：200903045831101104
強誘電体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331478
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171696
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】強誘電体記憶装置において、対をなすリファレンスセルの書き込みデータが固定され、方にのみ膜疲労が著しく片寄るという問題を解決し、リファレンスセルの疲労劣化を軽減する。【解決手段】リファレンスセルにデータを書き込む回路に反転回路を接続して、読み出しサイクル毎に書き込むデータを反転する。
請求項（抜粋）：
メモリセルにより生じたビット線対の電位変化を検知増幅するセンスアンプ回路を有する半導体記憶装置において、前記メモリセルは、強誘電体をキャパシタの電極間に挟んだ構造を持つ強誘電体キャパシタの一方の電極とビット線との間に電荷転送用トランジスタが接続されてなり、前記メモリセルのデータにより電位変化が生じる前記ビット線と対をなす他方の前記ビット線に基準電位を発生するリファレンスセルは、前記メモリセルと同じ構造の強誘電体キャパシタと電荷転送用トランジスタで構成し、基準電位はデータ1を書き込んだリファレンスセルとデータ0を書き込んだリファレンスセルを用いて発生し、前記データは読み出しサイクル毎に反転し書き込むことを特徴とする強誘電体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 14/00
, G11C 11/22
, G11C 11/41
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, G11C 11/40
, H01L 27/10 651
