特許

J-GLOBAL ID：200903045832080259

真空処理装置および真空処理方法

発明者： 芳里 直 ,  森山 公一朗 ,  下田 寛嗣 ,  尾▲崎▼ 裕之 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-024155
公開番号（公開出願番号）：特開2001-288571
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 処理室103の壁の温度を適正に保つ。【解決手段】 真空処理装置100は、内部を減圧状態に保つための容器102と、減圧条件下で処理用ガス導入口113を介して内部に処理用ガスを導入し、基体加熱用ヒータ116により所定の温度に加熱された基体101の表面上にプラズマCVD法による処理用ガスを原料とする層の堆積処理を行うための、容器102内に配置された処理室103とを有している。処理室103には、処理室103の壁を加熱するための処理用加熱ヒータ115が設けられており、加えて、容器102内の、処理室103の壁に対向する位置に、シリンダ110の駆動により移動可能な冷却プレート104が設けられており、処理室103の壁と処理用加熱ヒータ115および冷却プレート104との熱交換作用により、処理室103の壁の温度を適正に保つことができる。

請求項（抜粋）：

内部を減圧状態に保つための容器と、該容器内に配置された、減圧条件下で内部に処理用ガスを導入し、所定の温度に加熱された基体に表面処理を行うための処理室と、該処理室の壁を加熱するための処理室壁加熱用ヒーターとを有する真空処理装置において、前記容器内の前記処理室の壁に対向する位置に配置され、前記処理室の壁を冷却する冷却プレートと、該冷却プレートと前記処理室の壁との距離を変化させるように該冷却プレートを移動させる機構とを有することを特徴とする真空処理装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/44 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T