特許

J-GLOBAL ID：200903045834987880

超伝導体膜の成長方法と成長装置

発明者： 中尾 宏 ,  井原 賢
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172113
公開番号（公開出願番号）：特開平6-016496
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月25日
要約：

【要約】【目的】 誘電体基板の表裏両面への超伝導体膜の成長方法に関し、誘電体基板表面上に超伝導体膜を成長した後、誘電体基板裏面への超伝導体膜成長時に既成長超伝導体膜の特性が劣化しない超伝導体膜の成長方法と成長装置を提供することである。【構成】 誘電体基板の表面上に第1の超伝導体膜を気相成長させる第1成長工程と、該第1の超伝導体膜と反応しない表面を有するサセプタの表面に第1の超伝導体膜の表面を伏せて支持し、前記誘電体基板裏面上に第2の超伝導体膜を気相成長させる第2の成長工程とを含む。

請求項（抜粋）：

誘電体基板(2)の表面上に第1の超伝導体膜(3)を気相成長させる第1成長工程と、該第1の超伝導体膜(3)と反応しない表面を有するサセプタ(5)の表面に第1の超伝導体膜(3)の表面を伏せて支持し、前記誘電体基板(2)裏面上に第2の超伝導体膜(1)を気相成長させる第2の成長工程とを含む超伝導体膜の成長方法。

IPC (6件)：

C30B 25/02 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00 ZAA