特許

J-GLOBAL ID：200903045835528471

縦型MOSトランジスタを有する固定記憶装置の製造方法

発明者： リツシユ、ロタール ,  ホフマン、フランツ ,  レースナー、ウオルフガング ,  クラウチユナイダー、ウオルフガング
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513576
公開番号（公開出願番号）：特表平10-507592
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】縦型MOSトランジスタを含む第1のメモリセル及び縦型MOSトランジスタを含まない第2のメモリセルを有する固定記憶装置を製造するために、第1のメモリセル用のソース(1)、チャネル(2)及びドレイン(11)に相応する積層を有するシリコン基板(1)内にゲート誘電体(14)及びゲート電極(15a)を設ける孔(3)をエッチングする。隣接するメモリセルを絶縁するために絶縁トレンチ(7)を形成し、、絶縁トレンチの間隔とその幅を好適には等しく形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)の主面(3)に、第1の論理値を記憶し主面(3)に対して垂直な少なくとも1つのMOSトランジスタを含む第1のメモリセル(18)と第2の論理値を記憶しMOSトランジスタを含んでいない第2のメモリセル(19)とを有するセルフィールド(5)を形成し、 半導体基板(1)が第1の導電形によりドープされており、かつ第1の導電形と反対の第2の導電形によりドープされセルフィールド(5)の範囲内で主面(3)と接する第1のドープ領域(2)を備えており、 主面(3)から第1のドープ領域(2)を通って半導体基板(1)内にまで達するほぼ並列して延びている複数の条片状の絶縁トレンチ(7)を形成し、 第1のドープ領域(2)よりも浅くかつ主面(3)と接している第1の導電形によりドープされている第2の領域(11)を形成し、 縦型MOSトランジスタを形成するために主面(3)から第1のドープ領域(2)を通って半導体基板(1)内にまで達しその表面にゲート誘電体(14)及びゲート電極(15)を設けられている孔(13)を開ける固定記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/112 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 B ,  H01L 27/08 102 E