特許

J-GLOBAL ID：200903045836714600

多層配線構造及びその製造方法

発明者： 松本 晋
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211640
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044280
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。【解決手段】 下層配線Aは、第1のチタニウム膜102、第1の窒化チタン膜103、第1のAl-Cu膜104、第2のチタニウム膜105及び第2の窒化チタン膜106からなる。ヴィアコンタクトBは、第1の密着層109(チタニウム膜)、第2の密着層110(窒化チタン膜)及びタングステンプラグ111(タングステン膜)からなる。第2のチタニウム膜105及び第2の窒化チタン膜106には、ヴィアコンタクトBの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトBは開口部において第1のAl-Cu膜104と接続している。第1及び第2の密着層109、110は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第2の窒化チタン膜106における開口部の周辺領域と接続している。

請求項（抜粋）：

下層配線と上層配線とがヴィアコンタクトにより接続された多層配線構造であって、前記下層配線は、第1の金属膜及び該第1の金属膜の上に形成された第1の高融点金属膜を有し、前記ヴィアコンタクトは、第2の金属膜及び該第2の金属膜の側壁面及び底面を覆う第2の高融点金属膜を有し、前記第1の高融点金属膜は、前記ヴィアコンタクトの下側において前記ヴィアコンタクトの平面形状よりも小さい開口部を有し、前記第2の高融点金属膜は、その側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部を有し、前記第2の高融点金属膜の張り出し部と、前記第1の高融点金属膜における開口部の周辺領域とが接続していることを特徴とする多層配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 R

Fターム (34件)：

5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN17 ,  5F033NN30 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13