特許

J-GLOBAL ID：200903045845742803

配線形成方法

発明者： 川島 淳志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267461
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116830
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、下地膜を損傷することなく、下地膜の表面又は表層に残留するClを除去して、下地膜上に形成する配線層のClによる腐食を防止することができる配線形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】 Si基板11上の絶縁膜12にコンタクトホール13を開口した後、反応ガスにTiCl4 を含むECRプラズマCVD法により、基体全面にTiコンタクトメタル膜14及びTiNバリアメタル膜15を順に成膜する。次いで、基体全面にN2 レーザ(波長:337nm)の照射を行い、TiNバリアメタル膜15の表面又は表層に不純物として吸着又は含有されたClをTiと解離して除去する。次いで、TiNバリアメタル膜15上にAl膜16を成膜した後、Al膜16のエッチバック及びリフローによってTiNバリアメタル膜15からなるコンタクトホール13内にAlプラグ16aを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、塩素を構成元素として含有する反応ガスを用いて下地膜を形成する第1の工程と、前記下地膜に光又はレーザを照射して、前記下地膜の表面又は表層に不純物として吸着又は含有された塩素を除去する第2の工程と、前記下地膜上に、配線層を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/268 E ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 G